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  Schalttransistor  (22.979 Angebote unter 17.438.541 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Schalttransistor"

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Transistor: N-MOSFET x2; IntelliFET™; unipolar; 60V; 2,8A; 1,16W (1 Angebot) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SM8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 2,8A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 1,16W Polarisi...
Diodes
ZXMS6006DT8TA
ab € 0,88*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6,3A; Idm: 30A; 1,08W (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: TSSOP8 Struktur des Halbleiters: gemeinsamer Drain Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 6,3A Widerstand im Leitungszustand: 27mΩ Tran...
Alpha & Omega Semiconductor
AO8808A
ab € 0,32*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 600 A 20V max. Dual, 1200 V 20 mW, 13-Pin ECONODUAL N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 600 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 2 Gehäusegröße = ECONODUAL Channel-Typ = N Pinanzahl = 13 Transistor-K...
Infineon
FF600R12ME4EB11BOSA1
ab € 1.223,22*
pro 6 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 5,3A; Idm: 32A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 5,3A Widerstand im Leitungszustand: 29mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Anwendung: Automobilbranche Verlustleistung:...
Vishay
SQ4940AEY-T1_GE3
ab € 0,58*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPF024N10NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 227 A PG-TO263-7 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 227 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = PG-TO263-7 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPF024N10NF2SATMA1
ab € 3,17*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPG20N04S4-09 Transistor 40 V (2 Angebote)
Infineon
IPG20N04S409ATMA1
ab € 0,47*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6,7A; 3,1W; SO8 (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 6,7A Widerstand im Leitungszustand: 22mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 3,1W Polarisierung: unipola...
Vishay
SI9926CDY-T1-E3
ab € 0,32*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0,96W; SuperSOT-6 (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SuperSOT-6 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 1A Widerstand im Leitungszustand: 976mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 0,96W Polarisierung:...
onsemi
FDC3601N
ab € 0,18945*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolar; 500V; 13A; Idm: 55A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktur des Halbleiters: doppelte serielle Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 13A Widerstand im Leitungsz...
IXYS
FMM22-05PF
ab € 15,31*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPF042N10NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 139 A PG-TO263-7 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 139 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = PG-TO263-7 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPF042N10NF2SATMA1
ab € 1,50*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7,5A; Idm: 20A; 1,6W; SO8 (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 7,5A Widerstand im Leitungszustand: 20mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 1,6W Polarisierung: unipola...
onsemi
FDS6911
ab € 0,66*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3A; 1,3W; SO8 (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 3A Widerstand im Leitungszustand: 68mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 1,3W Po...
Alpha & Omega Semiconductor
AO4892
ab € 0,168*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; STripFET™ II; unipolar; 60V; 3A; 2,5W; SO8 (3 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 3A Widerstand im Leitungszustand: 65mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 2,5W Polarisierun...
ST Microelectronics
STS4DNF60L
ab € 0,39*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 650 A +/-20V max., 150 V 335 W Modul (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 650 A Kollektor-Emitter-Spannung = 150 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Verlustleistung max. = 335 W Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = Tafelmontage
Infineon
F3L150R07W2E3B11BOMA1
ab € 1.144,6101*
pro 15 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9,4A; 2W; SO8 (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 9,4A Widerstand im Leitungszustand: 21mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 2W Polarisierung: unipolar ...
onsemi
FDS6898A
ab € 0,37763*
pro Stück
 
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