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  Schalttransistor  (22.800 Angebote unter 17.430.422 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Schalttransistor"

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Mitsubishi IGBT-Modul / 300 A 20V max. Dual, 600 V 1,15 kW 122 x 62 mm (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 300 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 1,15 kW Gehäusegröße = 122 x 62 mm Transistor-Konfiguration = Dual
Mitsubishi
CM300DX-13T#300G
ab € 1.250,45*
pro 10 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7,6A; 90W; TO247 (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO247 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 7,6A Widerstand im Leitungszustand: 0,26Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 90W Polarisier...
ST Microelectronics
STW18N60DM2
ab € 1,57*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia BC807-25QB-QZ SMD, PNP Transistor –45 V / –500 mA, DFN1110D-3 (2 Angebote) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –500 mA Kollektor-Emitter-Spannung = –45 V Gehäusegröße = DFN1110D-3 Montage-Typ = SMD Gleichstromverstärkung min. = 160
Nexperia
BC807-25QB-QZ
ab € 0,0363*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 9A; 90W; DPAK (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 950V Drainstrom: 9A Widerstand im Leitungszustand: 1,25Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 90W Polarisierung...
ST Microelectronics
STD6N95K5
ab € 1,2619*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia BC807-25QB-QZ SMD, PNP Transistor –45 V / –500 mA, DFN1110D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –500 mA Kollektor-Emitter-Spannung = –45 V Gehäusegröße = DFN1110D-3 Montage-Typ = SMD Gleichstromverstärkung min. = 160
Nexperia
BC807-25QB-QZ
ab € 0,0917*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W (1 Angebot) 
Hersteller: SHINDENGEN Montage: THT Gehäuse: FTO-220AG (SC91) Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 10A Widerstand im Leitungszustand: 0,75Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 79W Polarisi...
SHINDENGEN
P10F50HP2-5600
ab € 0,65*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220FP Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 0,11Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 40W Polarisie...
ST Microelectronics
STF35N65DM2
ab € 2,73*
pro Stück
 
 Stück
Mitsubishi IGBT-Modul / 400 A 20V max. Dual, 600 V 2,83 kW 94 x 48 mm (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 400 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 2 Gehäusegröße = 94 x 48 mm Transistor-Konfiguration = Dual
Mitsubishi
CM400DY-13T#300G
ab € 1.740,32*
pro 10 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO247 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 13A Widerstand im Leitungszustand: 0,18Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 170W Polarisier...
ST Microelectronics
STW28N65M2
ab € 1,87*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia BC807-25QC-QZ SMD, PNP Transistor –45 V / –500 mA, DFN1412D-3 (2 Angebote) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –500 mA Kollektor-Emitter-Spannung = –45 V Gehäusegröße = DFN1412D-3 Montage-Typ = SMD Gleichstromverstärkung min. = 160
Nexperia
BC807-25QC-QZ
ab € 0,04076*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 95W (1 Angebot) 
Hersteller: SHINDENGEN Montage: THT Gehäuse: FTO-220AG (SC91) Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 0,36Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 95W Polarisi...
SHINDENGEN
P20F50HP2-5600
ab € 0,89*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia BC807-25QC-QZ SMD, PNP Transistor –45 V / –500 mA, DFN1412D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –500 mA Kollektor-Emitter-Spannung = –45 V Gehäusegröße = DFN1412D-3 Montage-Typ = SMD Gleichstromverstärkung min. = 160
Nexperia
BC807-25QC-QZ
ab € 0,0513*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 24A; 300W; TO247 (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO247 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 24A Widerstand im Leitungszustand: 70mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 300W Polarisieru...
ST Microelectronics
STW50N65DM2AG
ab € 4,26*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 15,8A; Idm: 78A (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220FP Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 15,8A Widerstand im Leitungszustand: 0,125Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 35W Polari...
ST Microelectronics
STF33N60M6
ab € 2,81*
pro Stück
 
 Stück
Mitsubishi IGBT-Modul / 450 20V max. Dual, 1200 V Modul N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 450 Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 2 Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = PCB-Montage Channel-Typ = N Transis...
Mitsubishi
CM450DY-24T #300G
ab € 249,82*
pro Stück
 
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