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  Schalttransistor  (22.947 Angebote unter 17.240.001 Artikeln)Zum Expertenwissen

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Nexperia BC807-16QC-QZ SMD, PNP Transistor –45 V / –500 mA, DFN1412D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –500 mA Kollektor-Emitter-Spannung = –45 V Gehäusegröße = DFN1412D-3 Montage-Typ = SMD Gleichstromverstärkung min. = 100
Nexperia
BC807-16QC-QZ
ab € 0,0623*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Linear™; unipolar; 500V; 58A; Idm: 232A; 730W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO264 Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 58A Widerstand im Leitungszustand: 90mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 730W Polarisi...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APL502LG
ab € 63,11*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia BC817-16W,115 SMD, NPN Transistor 45 V / 500 mA 100 MHz, SOT-323 (SC-70) 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 500 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 45 V Gehäusegröße = SOT-323 (SC-70) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 200 mW Gleichstromverstärkung min. = 1...
Nexperia
BC817-16W,115
ab € 101,91*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W (1 Angebot) 
Hersteller: SHINDENGEN Montage: THT Gehäuse: FTO-220AG (SC91) Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 10A Widerstand im Leitungszustand: 0,8Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 85W Polarisie...
SHINDENGEN
P10F60HP2-5600
ab € 0,83*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia BC807-40QCZ SMD, PNP Transistor –45 V / –500 mA, DFN1412D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –500 mA Kollektor-Emitter-Spannung = –45 V Gehäusegröße = DFN1412D-3 Montage-Typ = SMD Gleichstromverstärkung min. = 250
Nexperia
BC807-40QCZ
ab € 164,50*
pro 5.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247 (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO247 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 58mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 360W Polarisieru...
ST Microelectronics
STW56N65DM2
ab € 8,01*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 17A; 210W; TO247 (3 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO247 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 17A Widerstand im Leitungszustand: 94mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 210W Polarisieru...
ST Microelectronics
STW35N60DM2
ab € 4,24*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia BC807-25QB-QZ SMD, PNP Transistor –45 V / –500 mA, DFN1110D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –500 mA Kollektor-Emitter-Spannung = –45 V Gehäusegröße = DFN1110D-3 Montage-Typ = SMD Gleichstromverstärkung min. = 160
Nexperia
BC807-25QB-QZ
ab € 0,127*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W (1 Angebot) 
Hersteller: SHINDENGEN Montage: THT Gehäuse: FTO-220AG (SC91) Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 15A Widerstand im Leitungszustand: 490mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 95W Polarisi...
SHINDENGEN
P15F60HP2-5600
ab € 1,59*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia BC846AQCZ SMD, NPN Transistor 65 V / 100 mA, SOT8009 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 65 V Gehäusegröße = SOT8009 Montage-Typ = SMD Gleichstromverstärkung min. = 110
Nexperia
BC846AQCZ
ab € 0,051*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 11A; Idm: 60A (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220FP Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 11A Widerstand im Leitungszustand: 0,195Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 30W Polarisi...
ST Microelectronics
STF26N60DM6
ab € 2,89*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia BC817-16W,115 SMD, NPN Transistor 45 V / 500 mA, SOT-323 (SC-70) (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 500 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 45 V Gehäusegröße = SOT-323 (SC-70) Montage-Typ = SMD Gleichstromverstärkung min. = 100
Nexperia
BC817-16W,115
ab € 0,0125*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 31A; 360W; TO247 (3 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO247 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 31A Widerstand im Leitungszustand: 52mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 360W Polarisieru...
ST Microelectronics
STW56N60DM2
ab € 6,98*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia BC847AQC-QZ SMD, NPN Transistor 45 V / 100 mA, SOT8009 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 45 V Gehäusegröße = SOT8009 Montage-Typ = SMD Gleichstromverstärkung min. = 110
Nexperia
BC847AQC-QZ
ab € 0,0657*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; HiPerDynFRED; unipolar; 600V; 15A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 15A Widerstand im Leitungszustand: 0,165Ω Transistor-...
IXYS
FMD15-06KC5
ab € 13,59*
pro Stück
 
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