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  Schalttransistor  (22.764 Angebote unter 17.431.955 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Schalttransistor"

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Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO247-3 (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Bereitschaftszeit: 120ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 170A Widerstand im Leitungszustand: 9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 715...
IXYS
IXFH170N10P
ab € 7,38*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTA144EQCZ SMD, PNP Digitaler Transistor 3 -50 V / -100 mA, DFN1412D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = -50 V Gehäusegröße = DFN1412D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTA144EQCZ
ab € 151,55*
pro 5.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1,2kV; 10A; Idm: 40A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 10A Widerstand im Leitungszustand: 1,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 370W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1201R5BVFRG
ab € 27,32*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTC143XQBZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1110D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = DFN1110D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTC143XQBZ
ab € 152,25*
pro 5.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 100A; Idm: 400A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO264 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 22mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 520W Polaris...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M22LVRG
ab € 19,44*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTA143EQB-QZ SMD, PNP Digitaler Transistor 3 -50 V / -100 mA, DFN1110D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = -50 V Gehäusegröße = DFN1110D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTA143EQB-QZ
ab € 0,0407*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO3P (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO3P Bereitschaftszeit: 120ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 170A Widerstand im Leitungszustand: 9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 715W P...
IXYS
IXTQ170N10P
ab € 6,59*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTA143ZQBZ SMD, PNP Digitaler Transistor 3 -50 V / -100 mA, DFN1110D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = -50 V Gehäusegröße = DFN1110D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTA143ZQBZ
ab € 0,0406*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1,2kV; 20A; 625W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO264 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 0,6Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 625W Polaris...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12060LVRG
ab € 19,81*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTC114EQBZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1110D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = DFN1110D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTC114EQBZ
ab € 0,0405*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 56A; Idm: 224A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: SMD Gehäuse: D3PAK Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 56A Widerstand im Leitungszustand: 45mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 300W Polarisi...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M45SVRG
ab € 11,73*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTC143XQCZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1412D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = DFN1412D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTC143XQCZ
ab € 151,60*
pro 5.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 150A Widerstand im Leitungszustand: 13mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 714W Polarisierung: unipola...
IXYS
IXFH150N15P
ab € 7,37*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTA143EQC-QZ SMD, PNP Digitaler Transistor 3 -50 V / -100 mA, DFN1412D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = -50 V Gehäusegröße = DFN1412D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTA143EQC-QZ
ab € 0,0509*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1,2kV; 8A; Idm: 32A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: SMD Gehäuse: D3PAK Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 8A Widerstand im Leitungszustand: 1,6Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 280W Polarisi...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1201R6SVFRG
ab € 19,38*
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