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  Schalttransistor  (22.974 Angebote unter 17.440.591 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Schalttransistor"

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Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1,2kV; 8A; Idm: 32A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: SMD Gehäuse: D3PAK Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 8A Widerstand im Leitungszustand: 1,6Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 280W Polarisi...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1201R6SVFRG
ab € 19,38*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 52A Widerstand im Leitungszustand: 73mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 400W ...
IXYS
IXTT52N30P
ab € 4,40*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTA114EQC-QZ SMD, PNP Digitaler Transistor 3 -50 V / -100 mA, DFN1412D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = -50 V Gehäusegröße = DFN1412D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTA114EQC-QZ
ab € 0,0407*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1,2kV; 0,8A; 50W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 900ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 0,8A Widerstand im Leitungszustand: 25Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 50W ...
IXYS
IXTA08N120P
ab € 1,95*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1,2kV; 8A; Idm: 32A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 8A Widerstand im Leitungszustand: 1,6Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 280W Polari...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1201R6BVFRG
ab € 18,52*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTC114EQCZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1412D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = DFN1412D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTC114EQCZ
ab € 0,0407*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO3P; 250ns (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO3P Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 52A Widerstand im Leitungszustand: 73mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 400W P...
IXYS
IXTQ52N30P
ab € 3,51*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTC114EQCZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1412D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = DFN1412D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTC114EQCZ
ab € 151,25*
pro 5.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1,2kV; 1,4A; Idm: 3A; 86W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 900ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 1,4A Widerstand im Leitungszustand: 13Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 86W ...
IXYS
IXTA1R4N120P
ab € 2,84*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTA114YQBZ SMD, PNP Digitaler Transistor 3 -50 V / -100 mA, DFN1110D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = -50 V Gehäusegröße = DFN1110D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTA114YQBZ
ab € 0,0407*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO264 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 625W Polarisi...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10M09LVFRG
ab € 23,10*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTC123JQBZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1110D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = DFN1110D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTC123JQBZ
ab € 152,05*
pro 5.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 0,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 200W ...
IXYS
IXTA12N50P
ab € 1,88*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1,2kV; 2,4A; Idm: 6A; 125W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220AB Bereitschaftszeit: 920ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 2,4A Widerstand im Leitungszustand: 7,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1...
IXYS
IXTP2R4N120P
ab € 3,49*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTC114TM,315 SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, SC-101 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = SC-101 Montage-Typ = SMD Transistor-Konfiguration = Einfach Basis-Emitter Spannung max. = 5 V P...
Nexperia
PDTC114TM,315
ab € 0,16*
pro Stück
 
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