Kategorien
Österreich
Deutsch
Mein Mercateo
Anmelden / Registrieren		Warenkorb
 		 
 >  >  >  > Schalttransistor

  Schalttransistor  (22.976 Angebote unter 17.429.647 Artikeln)Zum Expertenwissen

Folgende Filter helfen, die Artikelliste für die Suche „Schalttransistor“ nach Ihren Wünschen zu verfeinern:
Filtern: Preis vonbis€  Wort 
Funktionen
☐
Übersicht

"Schalttransistor"

Überbegriffe
Unterbegriffe
Anzeige
☐
☐
☐
☐
Bild
Artikel ^v
Hersteller/-Nr. ^v
Preis ^v
Bestellen
zurück
onsemi BC556BTF THT, PNP Digitaler Transistor -65 V, TO-92 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP Kollektor-Emitter-Spannung = -65 V Gehäusegröße = TO-92 Montage-Typ = THT Verlustleistung max. = 500 mW Transistor-Konfiguration = Einfach Basis-Emitter Spannung max. = –5 V Pi...
onsemi
BC556BTF
ab € 0,0406*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 30A; Idm: 120A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 0,17Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 370W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5017BVFRG
ab € 12,74*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTC143EQBZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1110D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = DFN1110D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTC143EQBZ
ab € 0,0408*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 29A; Idm: 80A; 207W (2 Angebote) 
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 29A Widerstand im Leitungszustand: 75mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 207W Polar...
Genesic Semiconductor
G3R75MT12D
ab € 7,37*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTC143XQCZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1412D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = DFN1412D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTC143XQCZ
ab € 0,0406*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 9,5A; Idm: 21A; 37,5W (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO247 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 9,5A Widerstand im Leitungszustand: 416mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 37,5W Pola...
Infineon
IMW120R220M1HXKSA1
ab € 4,74*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTC143ZQBZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1110D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = DFN1110D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTC143ZQBZ
ab € 152,30*
pro 5.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 47A; Idm: 188A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO264 Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 47A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 520W Polarisi...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5010LVRG
ab € 18,00*
pro Stück
 
 Stück
onsemi BC63916-D74Z THT, NPN Digitaler Transistor 100 V, TO-92 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN Kollektor-Emitter-Spannung = 100 V Gehäusegröße = TO-92 Montage-Typ = THT Verlustleistung max. = 830 mW Transistor-Konfiguration = Einfach Basis-Emitter Spannung max. = 5 V Pin...
onsemi
BC63916-D74Z
ab € 0,22*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 34A; Idm: 90A; 270W (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: HIP247™ Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 34A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 270W Polarisi...
ST Microelectronics
SCTWA30N120
ab € 22,35*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTC143EQCZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1412D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = DFN1412D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTC143EQCZ
ab € 0,0406*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 90A; Idm: 240A; 542W (2 Angebote) 
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: TO247-4 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 90A Widerstand im Leitungszustand: 20mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 542W Polar...
Genesic Semiconductor
G3R20MT12K
ab € 28,70*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTC143ZQB-QZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1110D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = DFN1110D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTC143ZQB-QZ
ab € 0,0407*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 58A; Idm: 232A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO264 Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 58A Widerstand im Leitungszustand: 80mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 625W Polarisi...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50M80LVFRG
ab € 29,44*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTC143ZQCZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1412D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = DFN1412D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTC143ZQCZ
ab € 151,80*
pro 5.000 Stück
 
 Packung
vorwärts
Artikel pro Seite: 10   15   20   50   100    Seite: zurück   1   ..   651   652   653   654   655   656   657   658   659   660   661   ..   1532   vorwärts
Weitere Informationen zum Thema Schalttransistor
^

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.