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  SMD-Transistor  (11.098 Angebote unter 17.440.153 Artikeln)

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"SMD-Transistor"

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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 22A; TO263-7 (1 Angebot) 
Hersteller: LITTELFUSE Montage: SMD Gehäuse: TO263-7 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 22A Widerstand im Leitungszustand: 0,16Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Verpackungs-A...
Littelfuse
LSIC1MO120T0160-TU
ab € 6,70*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 16A; Idm: 40A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 16A Widerstand im Leitungszustand: 34,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 18,6W Polarisierun...
Vishay
SISH892BDN-T1-GE3
ab € 0,25929*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 28,2A; Idm: 80A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 28,2A Widerstand im Leitungszustand: 20,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 33,3W Polaris...
Vishay
SIS606BDN-T1-GE3
ab € 0,53022*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 62A; SMPD-B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD-B Struktur des Halbleiters: doppelte serielle Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 62A Widerstand im Leitungszustand: 25mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET P...
IXYS
MCB60P1200TLB-TUB
ab € 247,73*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 277A; Idm: 500A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 8x8L Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 277A Widerstand im Leitungszustand: 2,14mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 333W Polarisieru...
Vishay
SIJH5100E-T1-GE3
ab € 7.318,10*
pro 2.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 31,2A; Idm: 80A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 31,2A Widerstand im Leitungszustand: 18mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 36W Polarisieru...
Vishay
SISS42LDN-T1-GE3
ab € 0,43001*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 70A; TO268AAHV (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268AAHV Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 70A Widerstand im Leitungszustand: 25mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: T...
IXYS
MCB60I1200TZ-TUB
ab € 108,00*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 29A; Idm: 60A; 33W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 29A Widerstand im Leitungszustand: 26mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 33W Polarisierung...
Vishay
SISS40DN-T1-GE3
ab € 0,53*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 35A Widerstand im Leitungszustand: 37,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Polarisierung: unipola...
Vishay
SUD35N10-26P-GE3
ab € 2.641,78*
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 Packung
Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223 (1 Angebot) 
Hersteller: WAYON Montage: SMD Gehäuse: SOT223 Drain-Source Spannung: 650V Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Technologie: SJMOS™ C4 Kanal-Art: stark
WAYON
WMF10N65C4
ab € 0,40*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 32,4A; Idm: 80A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 32,4A Widerstand im Leitungszustand: 17mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 36W Polarisieru...
Vishay
SISS42DN-T1-GE3
ab € 0,60879*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 37A; Idm: 100A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 37A Widerstand im Leitungszustand: 20mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 44,5W Polarisierung:...
Vishay
SIR606DP-T1-GE3
ab € 2.727,96*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 125V; 24,8A; Idm: 50A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 125V Drainstrom: 24,8A Widerstand im Leitungszustand: 29,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42,1W Polaris...
Vishay
SISS70DN-T1-GE3
ab € 0,69*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 35A Widerstand im Leitungszustand: 37,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Polarisierung: unipola...
Vishay
SUD35N10-26P-E3
ab € 1.537,06*
pro 2.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 45A; Idm: 80A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 45A Widerstand im Leitungszustand: 16mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 65,7W Polarisierung:...
Vishay
SIR108DP-T1-RE3
ab € 2.744,37*
pro 3.000 Stück
 
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