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Beschreibung: TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR (TVS) DIODE RoHS konform: Ja Hersteller: LITTELFUSE Typ: 1SMB30CAT3G.

Beschreibung: TRANSIENT SUPPRESSOR DIODE,SINGLE,BIDIRE RoHS konform: Ja Hersteller: LITTELFUSE Typ: P6SMB33CAT3G.

Beschreibung: TRANSIENT SUPPRESSOR DIODE,SINGLE,UNIDIR RoHS konform: Ja Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Typ: SD05T1G.

TVS-Diode Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Betriebstemperatur (max.) (num): +175 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): TVS-Diode · Diodenkapazität C(D): 400 pF · Durchbruchspannung U(BR): 143 V · ...

Beschreibung: TVS DIODE, SUPPRESSOR TYPE ((NW)) RoHS konform: Ja Hersteller: AVX Typ: VC120603D100DP.

Beschreibung: TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR (TVS) DIODE RoHS konform: Ja Hersteller: LITTELFUSE Typ: P6KE30AG

Beschreibung: SUPPRESSOR-DIODE, 5KW RoHS konform: Keine Angaben Toleranz ﾱ: 5 % Leistungsverlust Pd: 50 W SVHC: To Be Advised Spannung, Uz(V): 33 V max. Betriebstemperatur: 175 ﾰC Verpackungsart: S...

Dioden-Typ: Transil Array Strom im max. Impuls: 100A Struktur des Halbleiters: Bidirektional Montage: SMD Leistungsverlust: 1.8kW Gehäuse: SO8 Rückspannung max.: 3.3V Hersteller: SEMTECH

Beschreibung: DIODE COIL SUPPRESSOR, 24-250VDC, Produc RoHS konform: Ja Hersteller: SCHNEIDER ELECTRIC Typ: LAD4DDL

Dioden-Typ: Transil Array Leistungsverlust: 100W Rückspannung max.: 5V Durchbruchspannung: 6.7V Strom im max. Impuls: 8A Struktur des Halbleiters: gemeinsame Anode Gehäuse: SC88 Montage: SMD Ausgan...

Beschreibung: SUPPRESSOR-MODUL, DIODE, 24-250VDC RoHS konform: Ja SVHC: To Be Advised Product Range: TeSys SK Series

Dioden-Typ: Transil Array Strom im max. Impuls: 10A Struktur des Halbleiters: Unidirektional Montage: SMD Leistungsverlust: 150W Gehäuse: SOT143 Rückspannung max.: 3.3V Hersteller: SEMTECH

Dioden-Typ: Transil Array Durchbruchspannung: 11V Strom im max. Impuls: 5A Struktur des Halbleiters: transil/Zener; Bidirektional Montage: SMD Gehäuse: SC70-6 Rückspannung max.: 5.5V Anzahl Kanäle:...

Dioden-Typ: Transil Array Durchbruchspannung: 13.3V Strom im max. Impuls: 12A Struktur des Halbleiters: Bidirektional; quadruple independent Montage: SMD Leistungsverlust: 300W Gehäuse: SO8 Rückspa...

Dioden-Typ: Transil Array Durchbruchspannung: 13.3V Strom im max. Impuls: 12A Struktur des Halbleiters: Unidirektional; gemeinsame Anode; doppelt Montage: SMD Leistungsverlust: 300W Gehäuse: SOT23-...