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IXYS IGBT / 20 A ±20V max., 1200 V 85 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 85 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...
IXYS
IXA12IF1200HB
ab € 11,08*
pro 2 Stück
 
 Packung
IGBT, 8 A, 1.65 V, 70 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s) (2 Angebote) 
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65 V Kontinuierlich...
Infineon
IKP08N65H5XKSA1
ab € 1,04457*
pro Stück
 
 Stück
IXYS IGBT / 50 A, 1200 V, 3-Pin TO-268 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gehäusegröße = TO-268 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Einfach Abmessungen = 16.05 x 14 x 5.1mm Betrie...
IXYS
IXGT30N120B3D1
ab € 11,03*
pro Stück
 
 Stück
IGBT, 25 A, 2.2 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) (4 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2 V Kontinuierlicher Kollekto...
Infineon
IKW25N120T2FKSA1
ab € 4,46*
pro Stück
 
 Stück
IXYS IGBT / 32 A ±20V max., 1700 V, 3-Pin TO-247AD N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 32 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Gehäusegröße = TO-247AD Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguratio...
IXYS
IXGH16N170
ab € 12,12*
pro Stück
 
 Stück
IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 40 A, 1.65 V, 161 W, 650 V, TO-263S, 3 Pin(s) (2 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-263S Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65 V Kontinu...
ROHM Semiconductor
RGT40NS65DGTL
ab € 1,3576*
pro Stück
 
 Stück
onsemi IGBT / 21 A ±10V max., 300 V 150 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 21 A Kollektor-Emitter-Spannung = 300 V Gate-Source Spannung max. = ±10V Verlustleistung max. = 150 W Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pina...
onsemi
ISL9V3040D3ST
ab € 1,35*
pro Stück
 
 Stück
IGBT, 29 A, 1.35 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s) (2 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 V Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35 V Kontinuierlicher Kollekto...
ST Microelectronics
STGP10NB60S
ab € 1,18*
pro Stück
 
 Stück
IXYS IGBT / 225 A ±20V max., 1200 V 1150 W, 3-Pin PLUS247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 225 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 1150 W Gehäusegröße = PLUS247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanza...
IXYS
IXYX100N120B3
ab € 28,13*
pro Stück
 
 Stück
IXYS IGBT / 64 A ±20V max., 1200 V 480 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 64 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 480 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
IXYS
IXYH40N120C3D1
ab € 12,72*
pro Stück
 
 Stück
IGBT, 30 A, 2.05 V, 217 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) (3 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05 V Kontinu...
Infineon
IKW15N120H3FKSA1
ab € 3,07*
pro Stück
 
 Stück
IXYS IGBT / 40 A ±20V max., 1200 V 278 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal (3 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 278 W Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
IXYS
IXYP20N120C3
ab € 4,25*
pro Stück
 
 Stück
IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 150 °C, Module (3 Angebote) 
Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: Module Dauer-Kollektorstrom: 320 A IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sä...
Infineon
FF200R12KT4HOSA1
ab € 104,31*
pro Stück
 
 Stück
onsemi IGBT / 40 A ±20V max., 650 V 349 W, 3-Pin TO-3PN N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 349 W Gehäusegröße = TO-3PN Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...
onsemi
FGA40N65SMD
ab € 6,51*
pro 2 Stück
 
 Packung
IXYS IGBT / 280 A ±20V max., 600 V 300 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 280 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 300 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
IXYS
IXGH48N60B3
ab € 15,59*
pro 2 Stück
 
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