Kategorien
Tipp: suchen Sie direkt nach: transistor 500v, transistor pnp, 200v transistor
Mein Mercateo
Anmelden / Registrieren
Warenkorb
 
 
 >  >  >  > Transistor

  Transistor  (22.946 Angebote unter 17.241.183 Artikeln)Zum Expertenwissen

Folgende Filter helfen, die Artikelliste für die Suche „Transistor“ nach Ihren Wünschen zu verfeinern:
Filtern: Preis vonbis  Wort 
Funktionen
☐
Übersicht
Anzeige
☐
☐
☐
☐
Bild
Bestellen
zurück
IGBT, THT, 600 V, 30 A, TO-247, BIDW30N60T (3 Angebote) 
Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDW30N60T, Bourns Der IGBT-Baustein BIDW30N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines Bipolartransistors zu einer optimalen Komponente f...
Bourns
BIDW30N60T
ab € 2,35*
pro Stück
 
 Stück
SOLID STATE MJ15025 POWER TRANSISTOR, PNP, -250V, TO-3, Tran (1 Angebot) 
Produktpalette: - Verlustleistung: 250 W Wandlerpolarität: PNP Dauer-Kollektorstrom: 16 A Betriebstemperatur, max.: 200 °C MSL: - Qualifikation: - DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15 hFE Bauform - ...
Solid State
MJ15025
ab € 4,18*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 100 A ±20V max., 600 V 333 W, 3-Pin TO-247 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 333 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Transistor-K...
Infineon
IKW50N60TFKSA1
ab € 3,87*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm (2 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: - Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: Einfac...
onsemi
SMMUN2216LT1G
ab € 0,03799*
pro Stück
 
 Packung
Infineon Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W TO-247-3 Tube IGW40T120FKSA1 (4 Angebote) 
IGBTs, IGW40T120, Infineon Technologies Der IGW40T120 ist ein Transistor, der aufgrund der Kombination von Trench-Cell- und Fieldstop-Konzept sowohl die statische als auch die dynamische Leistung d...
Infineon
IGW40T120FKSA1
ab € 5,40*
pro Stück
 
 Stück
SOLID STATE MJ16018 BJT, NPN, TO-3, Transistor Polarity:NPN, (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800 V Bauform - Transistor: TO-3 Übergangsfrequenz: - Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10 A Verlustleistung: 175 W Transistormontage: Through Hole Anzahl der...
Solid State
MJ16018
ab € 21,67*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 96 A ±20V max., 600 V, 3-Pin TO-247AC N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 96 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Gehäusegröße = TO-247AC Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration...
Infineon
IRGP4063DPBF
ab € 4,17*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm (3 Angebote) 
Produktpalette: DTA123E Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wand...
ROHM Semiconductor
DTA123EETL
ab € 0,05174*
pro Stück
 
 Packungen
IGBT, THT, 650 V, 50 A, TO-247, BIDW50N65T (3 Angebote) 
Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDW50N65T, Bourns Der IGBT-Baustein BIDW30N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines Bipolartransistors zu einer optimalen Komponente f...
Bourns
BIDW50N65T
ab € 3,19*
pro Stück
 
 Stück
STMICROELECTRONICS TIP47. BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 250V, TO-220, T (5 Angebote) 
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150 hFE Wandlerpolarität: NPN Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Through Hole Bauform - Transistor: TO-220 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1 A Betr...
ST Microelectronics
TIP47.
ab € 0,29862*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 150 A ±20V max., 600 V 428 W, 3-Pin TO-247 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 428 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Transistor-K...
Infineon
IGW75N60TFKSA1
ab € 3,95*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 1 kohm (2 Angebote) 
Produktpalette: DTA113Z Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 1 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandler...
ROHM Semiconductor
DTA113ZKAT146
ab € 0,03662*
pro Stück
 
 Packungen
Transistor-Haltefeder (1 Angebot) 
Einrast-Transistorhaltefeder für Profil-Kühlkörper Typ Fischer THFU. Für Gehäusetypen TO 218, TO 220, TO 247, TO 264 und diverse SiP-Multiwatt usw; Material: Stahl, rostfrei, 0,8 mm, Federkraft: 60...
Fischer Elektronik
10065593
ab € 0,161*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 30 A ±20V max., 1200 V 217 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 217 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
Infineon
IKW15N120H3FKSA1
ab € 7,76*
pro 2 Stück
 
 Packung
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V (2 Angebote) 
Produktpalette: UMD3N Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 10 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 kohm Anzahl der Pins: 6 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerp...
ROHM Semiconductor
UMD3NTR
ab € 0,08055*
pro Stück
 
 Packungen
vorwärts
Artikel pro Seite: 10   15   20   50   100    Seite: zurück   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   1530   vorwärts
Weitere Informationen zum Thema Transistor
^

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.