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"Transistor"

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IGBT, SMD, 600 V, 5 A, DPAK, BIDD05N60T (3 Angebote) 
Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDD05N60T, Bourns Der IGBT-Baustein BIDD05N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines Bipolartransistors zu einer optimalen Komponente f...
Bourns
BIDD05N60T
ab € 0,55544*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 30 A ±20V max., 650 V 105 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 105 W Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...
Infineon
IKP15N65F5XKSA1
ab € 1,56*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm (3 Angebote) 
Produktpalette: DTA143E Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wand...
ROHM Semiconductor
DTA143EKAT146
ab € 0,02902*
pro Stück
 
 Packung
Infineon BSS123N Transistor 100 V (4 Angebote)
Infineon
BSS123NH6327XTSA1
ab € 0,0507*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 96 A ±20V max., 600 V, 3-Pin TO-247AC N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 96 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Gehäusegröße = TO-247AC Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration...
Infineon
IRGP4063DPBF
ab € 3,14*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V (2 Angebote) 
Produktpalette: UMD9N Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 10 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 kohm Anzahl der Pins: 6 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerp...
ROHM Semiconductor
UMD9NTR
ab € 0,07404*
pro Stück
 
 Packungen
IGBT, THT, 600 V, 30 A, TO-247, BIDW30N60T (3 Angebote) 
Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDW30N60T, Bourns Der IGBT-Baustein BIDW30N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines Bipolartransistors zu einer optimalen Komponente f...
Bourns
BIDW30N60T
ab € 1,98*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 16 A ±20V max., 1200 V 70 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 16 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 70 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...
Infineon
IKW08T120FKSA1
ab € 9,34*
pro 4 Stück
 
 Packung
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm (3 Angebote) 
Produktpalette: DTA143T Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: - Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpola...
ROHM Semiconductor
DTA143TKAT146
ab € 0,03251*
pro Stück
 
 Packungen
Infineon Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W TO-247-3 Tube IGW40T120FKSA1 (4 Angebote) 
IGBTs, IGW40T120, Infineon Technologies Der IGW40T120 ist ein Transistor, der aufgrund der Kombination von Trench-Cell- und Fieldstop-Konzept sowohl die statische als auch die dynamische Leistung d...
Infineon
IGW40T120FKSA1
ab € 4,14*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 60 A ±20V max., 600 V 187 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (3 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 60 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 187 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...
Infineon
IKW30N60H3FKSA1
ab € 1,56*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V (1 Angebot) 
Produktpalette: BCR35PN Series MSL: MSL 3 - 168 Stunden Basis-Eingangswiderstand R1: 10 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 kohm Anzahl der Pins: 6 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandl...
Infineon
BCR35PNH6327XTSA1
ab € 0,07268*
pro Stück
 
 Stück
IGBT, THT, 650 V, 50 A, TO-247, BIDW50N65T (3 Angebote) 
Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDW50N65T, Bourns Der IGBT-Baustein BIDW30N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines Bipolartransistors zu einer optimalen Komponente f...
Bourns
BIDW50N65T
ab € 2,56*
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 Stück
Infineon IGBT / 40 A ±20V max., 600 V 170 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 170 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...
Infineon
IKW20N60H3FKSA1
ab € 6,13*
pro 4 Stück
 
 Packung
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V (2 Angebote) 
Produktpalette: UMD6N Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: - Anzahl der Pins: 6 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolari...
ROHM Semiconductor
UMD6NTR
ab € 0,0376*
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