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  Transistor  (10.579 Angebote unter 17.407.236 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Transistor"

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Transistor: IGBT; NPT; 1,2kV; 40A; 500W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 40A Kollektorstrom im Impuls: 160A Anschaltz...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT40GR120B
ab € 7,45*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; NPT; 1,7kV; 11A; 190W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 1,7kV Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 11A Kollektorstrom im Impuls: 40A Anschaltzeit: 35ns Ausschal...
IXYS
IXGH16N170A
ab € 8,42*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; PT; 600V; 44A; 337W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 44A Kollektorstrom im Impuls: 130A Anschaltze...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT44GA60BD30
ab € 7,03*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 200 A +/-20V max. 6-fach, 1200 V 700 W (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Verlustleistung max. = 700 W
Infineon
FS150R12KT3BOSA1
ab € 2.786,61*
pro 10 Stück
 
 Packung
Transistor: IGBT; PT; 600V; 96A; 833W; TO264MAX (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO264MAX Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 96A Kollektorstrom im Impuls: 250A Anschaltz...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT65GP60L2DQ2G
ab € 24,04*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 1,5 kA 20V max. Dual, 1700 V 20 mW, 10-Pin Prime3+ N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 1,5 kA Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = Prime3+ Channel-Typ = N Pinanzahl = 10 Transistor-...
Infineon
FF1500R17IP5BPSA1
ab € 1.996,64*
pro 2 Stück
 
 Packung
Transistor: IGBT; NPT; 1,2kV; 50A; 694W; T-Max (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: T-Max Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom im Impuls: 200A Anschaltzei...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50GR120B2
ab € 10,88*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; NPT; 1,7kV; 11A; 190W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Kollektor-Emitter-Spannung: 1,7kV Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 11A Kollektorstrom im Impuls: 40A Anschaltzeit: 35ns Ausschaltz...
IXYS
IXGT16N170AH1
ab € 15,13*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; PT; 600V; 54A; 416W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 54A Kollektorstrom im Impuls: 161A Anschaltze...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT54GA60B
ab € 6,39*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 200 A 20V max. 6-fach, 1200 V 20 mW, 20-Pin Modul N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = Modul Channel-Typ = N Pinanzahl = 20 Transistor-Kon...
Infineon
FS200R12PT4PBOSA1
ab € 1.449,24*
pro 6 Stück
 
 Packung
Transistor: IGBT; PT; 900V; 36A; 417W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 900V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 36A Kollektorstrom im Impuls: 110A Anschaltze...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT25GP90BG
ab € 8,86*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; NPT; 1,2kV; 75A; 781W; T-Max (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: T-Max Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 75A Kollektorstrom im Impuls: 150A Anschaltzei...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50GF120B2RG
ab € 21,06*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; PT; 600V; 68A; 520W; TO264 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO264 Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 68A Kollektorstrom im Impuls: 202A Anschaltzeit...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT68GA60LD40
ab € 11,36*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 200 A ±20V max. 6-fach, 600 V 600 W EconoPACK (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 600 W Gehäusegröße = EconoPACK
Infineon
FS200R06KE3BOSA1
ab € 2.297,89*
pro 10 Stück
 
 Packung
Transistor: IGBT; PT; 900V; 50A; 543W; T-Max (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: T-Max Kollektor-Emitter-Spannung: 900V Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom im Impuls: 160A Anschaltzeit...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT40GP90B2DQ2G
ab € 18,66*
pro Stück
 
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