Kategorien
Österreich
Deutsch
Mein Mercateo
Anmelden / Registrieren		Warenkorb
 		 
 >  >  >  > Transistor

  Transistor  (22.997 Angebote unter 17.434.257 Artikeln)Zum Expertenwissen

Folgende Filter helfen, die Artikelliste für die Suche „Transistor“ nach Ihren Wünschen zu verfeinern:
Filtern: Preis vonbis€  Wort 
Funktionen
☐
Übersicht

"Transistor"

Überbegriffe
Unterbegriffe
Anzeige
☐
☐
☐
☐
Bild
Artikel ^v
Hersteller/-Nr. ^v
Preis ^v
Bestellen
zurück
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 55/85A; 9,6/20W; DFN5x6 (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: DFN5x6 Struktur des Halbleiters: asymmetrisch Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 55/85A Widerstand im Leitungszustand: 5/1,4mΩ Tran...
Alpha & Omega Semiconductor
AOE6932
ab € 0,82*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPD052N10NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 118 A PG-TO252-3 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 118 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = PG-TO252-3 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPD052N10NF2SATMA1
ab € 1,19*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0,68A; 0,9W; SuperSOT-6 (3 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SuperSOT-6 Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 0,68A Widerstand im Leitungszustand: 0,8Ω Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 0,9W Polarisierung:...
onsemi
FDC6303N
ab € 0,11946*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPF039N08NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 80 V / 126 A PG-TO263-7 (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 126 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PG-TO263-7 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPF039N08NF2SATMA1
ab € 1,11*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5,2A; 0,85W; SOT26 (1 Angebot) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SOT26 Struktur des Halbleiters: gemeinsamer Drain Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 5,2A Widerstand im Leitungszustand: 24mΩ Transistor-Ty...
Diodes
DMG6968UDM-7
ab € 0,141*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Transistormodul / 80 A ±20V max., 650 V 305 W PG-TO247-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 305 W Gehäusegröße = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65H5FKSA1
ab € 3,24*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6,5A; 1,44W; SO8 (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 6,5A Widerstand im Leitungszustand: 22mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 1,44W ...
Alpha & Omega Semiconductor
AO4842
ab € 0,129*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IST006N04NM6AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 40 V / 475 A, 5-Pin HSOF-5 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 475 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = HSOF-5 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 5 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0006 Ω Channel-Modus = Enhance...
Infineon
IST006N04NM6AUMA1
ab € 2,17*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0,1A; 0,3W; SOT363 (2 Angebote) 
Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: SOT363 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 0,1A Widerstand im Leitungszustand: 6Ω Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 0,3W Polarisierung: unipo...
Toshiba
SSM6N15AFU,LF(T
ab € 0,04425*
pro Stück
 
 Packung
Infineon IPD055N08NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 80 V / 98 A PG-TO252-3 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 98 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PG-TO252-3 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPD055N08NF2SATMA1
ab € 1,08*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IRF7530 Transistor 100 V (4 Angebote)
Infineon
IRF7530TRPBF
ab € 0,30*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPF050N10NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 117 A PG-TO263-7 (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 117 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = PG-TO263-7 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPF050N10NF2SATMA1
ab € 0,83*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 7,6A; 1,4W; SO8 (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 7,6A Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 1,4W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Ro...
Infineon
IRF7904TRPBF
ab € 0,33*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Transistormodul / 95 A ±20V max., 650 V 275 W ACEPACK 2 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 95 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 275 W Gehäusegröße = ACEPACK 2
Infineon
FS75R07W2E3B11ABOMA1
ab € 55,60*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0,75A; 0,36W (4 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SC70-6;SOT363;SC88 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 0,75A Widerstand im Leitungszustand: 0,6Ω Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 0,36W Polar...
onsemi
FDG8850NZ
ab € 0,1378*
pro Stück
 
 Stück
vorwärts
Artikel pro Seite: 10   15   20   50   100    Seite: zurück   1   ..   591   592   593   594   595   596   597   598   599   600   601   ..   1534   vorwärts
Weitere Informationen zum Thema Transistor
^

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.