Transistor bei Mercateo günstig kaufen (Seite 605/1.532)

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Mitsubishi IGBT-Modul / 300 A 20V max. Dual, 600 V 1,15 kW 122 x 62 mm (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 300 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 1,15 kW Gehäusegröße = 122 x 62 mm Transistor-Konfiguration = Dual

Mitsubishi

CM300DX-13T#300G

ab € 125,15*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 1,3W; SO8 (1 Angebot)

Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 6A Widerstand im Leitungszustand: 19mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 1,3W Pol...

Alpha & Omega Semiconductor

AO4882

ab € 0,198*
pro Stück

Infineon IPP052NE7N3 G Transistor 75 V (4 Angebote)

Infineon

IPP052NE7N3GXKSA1

ab € 0,97448*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 2A; 1,4W; SOT23 (1 Angebot)

Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 2A Widerstand im Leitungszustand: 0,14Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,4W Po...

Alpha & Omega Semiconductor

AOSS62934

ab € 0,415*
pro 5 Stück

Infineon OptiMOS 3 IPB015N04NGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 40 V / 12 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) (2 Angebote)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 12 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0015 O Channel-Modus = ...

Infineon

IPB015N04NGATMA1

ab € 1,70*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W (1 Angebot)

Hersteller: SHINDENGEN Montage: SMD Gehäuse: LF (MO235B similar) Drain-Source Spannung: 120V Drainstrom: 25A Widerstand im Leitungszustand: 29mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 168W Polar...

SHINDENGEN

P25LF12SL-5071

ab € 0,49*
pro Stück

Infineon IPB031N08N5 Transistor 40 V (2 Angebote)

Infineon

IPB031N08N5ATMA1

ab € 1,57*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0,25A; 0,31W; SOT363 (3 Angebote)

Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SOT363 Drain-Source Spannung: 50V Drainstrom: 0,25A Widerstand im Leitungszustand: 2,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 0,31W Pola...

Diodes

DMN53D0LDW-7

ab € 0,04056*
pro Stück

Mitsubishi IGBT-Modul / 400 A 20V max. Dual, 600 V 2,83 kW 94 x 48 mm (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 400 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 2,83 kW Gehäusegröße = 94 x 48 mm Transistor-Konfiguration = Dual

Mitsubishi

CM400DY-13T#300G

ab € 173,41*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 35,5A; 8,3W (1 Angebot)

Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 35,5A Widerstand im Leitungszustand: 3,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 8,...

Alpha & Omega Semiconductor

AOT66916L

ab € 1,13*
pro Stück

Infineon IPP120N10S4-05 Transistor 100 V (1 Angebot)

Infineon

IPP120N10S405AKSA1

ab € 82,08*
pro 50 Stück

Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W (1 Angebot)

Hersteller: SHINDENGEN Montage: THT Gehäuse: FTO-220AG (SC91) Drain-Source Spannung: 120V Drainstrom: 32A Widerstand im Leitungszustand: 15,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 44W Polaris...

SHINDENGEN

P32F12SN-5600

ab € 0,68*
pro Stück

Infineon IPB019N08N3 G Transistor 30 V (2 Angebote)

Infineon

IPB019N08N3GATMA1

ab € 2,85*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0,225A; 0,28W; SOT563F (1 Angebot)

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT563F Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0,225A Widerstand im Leitungszustand: 1,6Ω Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 0,28W Polarisierung: ...

onsemi

NTZD5110NT1G

ab € 0,355*
pro 5 Stück

Infineon IPB065N10N3 G Transistor 55 V (1 Angebot)

Infineon

IPB065N10N3GATMA1

ab € 1.187,57*
pro 1.000 Stück

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