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  Transistor  (22.977 Angebote unter 17.440.301 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Transistor"

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Mitsubishi IGBT-Modul / 450 20V max. Dual, 1200 V Modul N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 450 Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 2 Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = PCB-Montage Channel-Typ = N Transis...
Mitsubishi
CM450DX -24T #300G
ab € 215,22*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Linear™; unipolar; 500V; 58A; Idm: 232A; 730W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO264 Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 58A Widerstand im Leitungszustand: 90mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 730W Polarisi...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APL502LG
ab € 56,06*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26,5A; 250W (1 Angebot) 
Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: STMicroelect...
ST Microelectronics
STW57N65M5-4
ab € 10,45*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia BC856BQCZ SMD, PNP Transistor -65 V / -100 mA, SOT8009 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = -65 V Gehäusegröße = SOT8009 Montage-Typ = SMD Gleichstromverstärkung min. = 220
Nexperia
BC856BQCZ
ab € 0,0408*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 900V Drainstrom: 13A Widerstand im Leitungszustand: 0,25Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 250W Polarisi...
ST Microelectronics
STP20N90K5
ab € 3,51*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia BC857B,235 SMD, PNP Transistor -65 V / -100 mA, SOT-23 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = -65 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Gleichstromverstärkung min. = 220 Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente ...
Nexperia
BC857B,235
ab € 0,0102*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 17A; 210W; TO247 (3 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO247 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 17A Widerstand im Leitungszustand: 94mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 210W Polarisieru...
ST Microelectronics
STW35N60DM2
ab € 3,57*
pro Stück
 
 Stück
Mitsubishi IGBT-Modul / 450 A 20V max. Dual, 600 V 1,69 kW 122 x 62 mm (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 450 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 1,69 kW Konfiguration = Dual Transistor-Konfiguration = Dual
Mitsubishi
CM450DX-13T#300G
ab € 145,20*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41,5A; 400W; TO247 (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO247 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 41,5A Widerstand im Leitungszustand: 33mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 400W Polarisie...
ST Microelectronics
STW77N65M5
ab € 9,81*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2-EP; unipolar; 600V; 22A; 250W (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO247 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 22A Widerstand im Leitungszustand: 76mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 250W Polarisieru...
ST Microelectronics
STW42N60M2-EP
ab € 4,51*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 31A; 360W; TO247 (3 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO247 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 31A Widerstand im Leitungszustand: 52mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 360W Polarisieru...
ST Microelectronics
STW56N60DM2
ab € 5,84*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 50,5A; 450W; TO247 (3 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO247 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 50,5A Widerstand im Leitungszustand: 29mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 450W Polarisie...
ST Microelectronics
STW88N65M5
ab € 10,29*
pro Stück
 
 Stück
Mitsubishi IGBT-Modul / 600 20V max. Dual, 1200 V Modul N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 600 Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 2 Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = PCB-Montage Channel-Typ = N Transis...
Mitsubishi
CM600DX -24T #300G
ab € 312,28*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 16A; Idm: 80A (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 16A Widerstand im Leitungszustand: 128mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 190W Polarisi...
ST Microelectronics
STP33N60DM6
ab € 2,25*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 60A; 446W; TO247 (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO247 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 446W Polarisieru...
ST Microelectronics
STWA63N65DM2
ab € 7,57*
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