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  Transistor  (22.800 Angebote unter 17.430.997 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Transistor"

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Infineon IPA075N15N3 G Transistor 60 V (1 Angebot)
Infineon
IPA075N15N3GXKSA1
ab € 3,38*
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 Stück
ROHM IGBT / 51 A ±30V max. , 650 V 156 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 51 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 156 W Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGWS60TS65GC13
ab € 1,99*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 500W; ISOPLUS247™ (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: ISOPLUS247™ Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 18A Widerstand im Leitungszustand: 490mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 500W Polarisierung: unip...
IXYS
IXFR24N100Q3
ab € 20,90*
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 Stück
ROHM 2SCR583D3FRATL SMD, NPN Transistor 50 V / 7 A, DPAK (TO-252) (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 7 A Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 1
ROHM Semiconductor
2SCR583D3FRATL
ab € 0,44*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 70A; 625W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 11A Widerstand im Leitungszustand: 780mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 625W Polari...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT17F100B
ab € 9,71*
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 Stück
Infineon IRF7815 Transistor 60 V (2 Angebote)
Infineon
IRF7815TRPBF
ab € 0,50179*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 830W; TO268 (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 18A Widerstand im Leitungszustand: 0,66Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 830W Polarisierung: unipolar V...
IXYS
IXFT18N100Q3
ab € 13,87*
pro Stück
 
 Stück
ROHM IGBT / 65 A ±30V max. , 600 V 148 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 65 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 148 W Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGCL80TS60DGC13
ab € 2,72*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; Idm: 48A; 298W; D3PAK (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: SMD Gehäuse: D3PAK Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 0,95Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 298W Polarisi...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10090SLLG
ab € 17,41*
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 Stück
ROHM 2SCR586JGTLL SMD, NPN Transistor 80 V / 5 A, TO-263AB 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 5 A Kollektor-Emitter-Spannung = 80 V Gehäusegröße = TO-263AB Montage-Typ = SMD Gleichstromverstärkung min. = 120 Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro...
ROHM Semiconductor
2SCR586JGTLL
ab € 0,93*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 300W; TO220AB; 100ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220AB Bereitschaftszeit: 100ns Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 56A Widerstand im Leitungszustand: 36mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 300...
IXYS
IXTP56N15T
ab € 2,34*
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 Stück
ROHM DTC114ECAHZGT116 SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, SOT-23 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
ROHM Semiconductor
DTC114ECAHZGT116
ab € 0,0407*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1A; 50W; TO220AB; 750ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220AB Bereitschaftszeit: 750ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 1A Widerstand im Leitungszustand: 15Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 50W Po...
IXYS
IXTP1N100P
ab € 1,24*
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 Stück
ROHM DTB513ZMT2L SMD, PNP Digitaler Transistor –12 V / –500 mA, SOT-723 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –500 mA Kollektor-Emitter-Spannung = –12 V Gehäusegröße = SOT-723 Montage-Typ = SMD Gleichstromverstärkung min. = 140 Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente...
ROHM Semiconductor
DTB513ZMT2L
ab € 0,051*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; Idm: 48A; 298W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 0,95Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 298W Polari...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10090BFLLG
ab € 15,59*
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