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  transistoren, igb  (2.456 Angebote unter 17.241.442 Artikeln)

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IXDH30N120D1 IGBT TO-247AD 1200 V 50 A (1 Angebot) 
IGBT, Gehäusetyp: TO-247AD, Kollektor-Emitter Breakdown-Spannung: 1200 V, Kollek
k.A.
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ab € 14,38*
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Kemo Power MOSFET & IGBT Transistoren [S106] MOSFET/IGBT-Set (3 Angebote) 
Kemo Power MOSFET & IGBT Transistoren [S106] MOSFET/IGBT-Set Das Set enthält ca. 20 Stück MOSFETs und IGBTs verschiedener Typen. Typ: Power MOSFET & IGBT Transistoren [S106] Hersteller: Kemo Katego...
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ab € 4,83*
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Infineon IGBT-Transistormodul / 24 A ±20V max. Triple, 600 V 110 W PG-TO-220-3 (3 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 24 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 3 Gehäusegröße = PG-TO-220-3
Infineon
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ab € 0,83191*
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Infineon IGBT-Transistormodul / 40 A 15V max. Dual, 650 V 250 W PG-TO247-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 15V Anzahl an Transistoren = 2 Gehäusegröße = PG-TO247-3
Infineon
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ab € 7,12*
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Infineon IGBT-Transistormodul / 40 A 15V max. Dual, 650 V 250 W PG-TO247-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 15V Anzahl an Transistoren = 2 Gehäusegröße = PG-TO247-3
Infineon
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ab € 162,0801*
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Semikron IGBT-Transistormodul / 100 A ±15.0V max. , 1200 V (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±15.0V Anzahl an Transistoren = 1
Semikron
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ab € 62,60*
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Semikron IGBT-Transistormodul / 100 A ±15.0V max. , 1200 V (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±15.0V Anzahl an Transistoren = 1
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ab € 567,68*
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Semikron IGBT-Transistormodul / 100 A ±15.0V max. , 1200 V (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±15.0V Anzahl an Transistoren = 1
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ab € 560,34*
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Semikron IGBT-Transistormodul / 100 A ±15.0V max. , 1200 V (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±15.0V Anzahl an Transistoren = 1
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Semikron IGBT-Transistormodul / 150 A ±15.0V max. Dual, 1200 V (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±15.0V Anzahl an Transistoren = 2 Konfiguration = Halbbrücke
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Semikron IGBT-Transistormodul / 100 A ±15.0V max. Dual, 1200 V (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±15.0V Anzahl an Transistoren = 2 Konfiguration = Halbbrücke
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Semikron IGBT-Transistormodul / 150 A ±15.0V max. Dual, 1200 V (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±15.0V Anzahl an Transistoren = 2 Konfiguration = Halbbrücke
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Semikron IGBT-Transistormodul / 100 A ±15.0V max. Dual, 1200 V (1 Angebot) 
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Semikron IGBT-Transistormodul / 200 A ±15.0V max. Dual, 1200 V (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±15.0V Anzahl an Transistoren = 2 Konfiguration = Halbbrücke
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ab € 176,00*
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