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IGBT-Modul 34 mm 1200 V


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     115A-17100003
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     BSM75GB120DN2
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
IGBT
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
IGBT-Modul, Anschluss: 3 x M5, Befestigung: 2 x M6, Gehäusetyp: 34 mm, Konfiguration: Half-Bridge, Kollektor-Emitter Spannung: 1200 V, Kollektor-Emitter Sättigungsspannung: 3.0 V
Weitere Informationen:
Bruttogewicht:
0.160 kg
Nettogewicht:
0.160 kg
Höhe:
30 mm
Breite:
40 mm
Tiefe:
100 mm
Ursprungsland:
MY
Weitere Suchbegriffe: igbt infineon 1200v, igbt, igbt infineon, IGBT-Module, Module, IGBT-, Module, Transistor-
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