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IGBT-Modul 62 mm 1200 V


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     115A-17100013
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     BSM 200GB 120DLC
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon
IGBT-Modul, Anschluss: 3 x M6, Befestigung: 4 x M6, Gehäusetyp: 62 mm, Konfiguration: Half-Bridge, Abschalt-Verlustenergie: 23 mJ, Einschalt-Verlustenergie: 22 mJ, Kollektor-Emitter Spannung: 1200 V, Kollektor-Emitter Sättigungsspannung: 2.6 V
Weitere Informationen:
Bruttogewicht:
0.337 kg
Nettogewicht:
0.337 kg
Höhe:
37 mm
Breite:
60 mm
Tiefe:
105 mm
Ursprungsland:
HK
Weitere Suchbegriffe: igbt module, IGBT-Module, Module, IGBT-, Module, Transistor-
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