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MOSFET N, 200 V 0.6 A 6.4 W HEXDIP


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     115A-17107430
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     IRFD120PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+175 °C, Gehäusetyp: HEXDIP, Polarität: N, Verlustleistung: 6.4 W
Weitere Informationen:
Höhe:
5 mm
Breite:
8 mm
Tiefe:
9 mm
Ursprungsland:
PH
Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, FETs, Leistungs-, Transistoren, Feldeffekt-, MOSFETs
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