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MOSFET N, 60 V 1.7 A 1.3 W HEXDIP


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     115A-17115219
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     IRLD014PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...175 °C, Gehäusetyp: HEXDIP, Polarität: N, Verlustleistung: 1.3 W
Weitere Informationen:
Bruttogewicht:
0.001 kg
Nettogewicht:
0.001 kg
Höhe:
5 mm
Breite:
8 mm
Tiefe:
9 mm
Ursprungsland:
PH
Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, MOSFETs, FETs, Leistungs-, Transistoren, Feldeffekt-
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