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MOSFET N, 1000 V 1.4 A 63 W TO-263


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Artikelbild
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Artikel-Nr.:
     115A-17131391
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTA1R4N100P
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
ixys rf mosfet
mosfet
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...150 °C, Gehäusetyp: TO-263, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 63 W
Weitere Informationen:
Bruttogewicht:
0.002 kg
Nettogewicht:
0.002 kg
Höhe:
5 mm
Breite:
10 mm
Tiefe:
12 mm
Ursprungsland:
US
Weitere Suchbegriffe: MOSFETs, FETs, Leistungs-, Transistoren, Feldeffekt-
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