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MOSFET PQFN-6 (2x2) N 100 V 10 A


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     115A-30038469
Hersteller:
     IR
Herst.-Nr.:
     IRFH5210TRPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet ir
mosfet
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: PQFN-6 (2x2), Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 3.6 W
Weitere Informationen:
Bruttogewicht:
0.001 kg
Nettogewicht:
0.001 kg
Ursprungsland:
MY
Weitere Suchbegriffe: pqfn mosfet, MOSFETs, Transistoren, Feldeffekt-, FETs, Leistungs-
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