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MOSFET P, 30 V 4 A 1.1 W SC-59


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     115A-30041379
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMG3407SSN-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
diodes mosfet
mosfet
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SC-59, Polarität: P, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 1.1 W
Weitere Informationen:
Bruttogewicht:
0.001 kg
Ursprungsland:
CN
Weitere Suchbegriffe: FETs, Leistungs-, Transistoren, Feldeffekt-, MOSFETs
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