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MOSFET N/P, 100 V 2.1 A 1.3 W SO-8


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     115A-30041561
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     ZXMC10A816N8TC
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
SMD-Transistor
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SO-8, Polarität: N/P, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 1.3 W
Weitere Informationen:
Bruttogewicht:
0.001 kg
Ursprungsland:
JP
Weitere Suchbegriffe: Transistor, diodes mosfet, smd-transistor, FETs, Leistungs-, Transistoren, Feldeffekt-, MOSFETs
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