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| Artikel-Nr.: 1331-1095139 Herst.-Nr.: RFD12N06RLESM9A EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07 ohmProduktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 17 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Drain-Source-Spannung Vds: 60 VVerlustleistung: 49 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 VSVHC: Lead (14-Jun-2023) RoHS konform: Keine Angaben |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, on semiconductor mosfet, smd transistor, mosfet dpak, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, RFD12N06RLESM9A, 1095139, 109-5139 |
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