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ON SEMICONDUCTOR RFD12N06RLESM9A MOSFET, N-KANAL, D-PAK


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     1331-1095139
Hersteller:
     ON Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RFD12N06RLESM9A
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
SMD-Transistor
Schwellenspannung Vgs: 3 V
  • Verlustleistung Pd: 49 W
  • Dauer-Drainstrom Id: 17 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 ᄚC
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Bauform - Transistor: TO-252
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • RoHS-konform bezüglich Phthalate: Ja
  • SVHC: Lead (27-Jun-2018)
  • Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 V
  • Wandlerpolarität: n-Kanal
  • Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07 ohm
  • Drain-Source-Spannung Vds: 60 V
  • Produktpalette: -
  • Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
  • RoHS konform: Ja
  • Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet dpak, smd-transistor, on semiconductor mosfet, Dioden, Einfache, Gleichrichter, MOSFET-Transistoren, Thyristoren, Transistoren, ON SEMICONDUCTOR, RFD12N06RLESM9A, 1095139, 109-5139
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