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ONSEMI MMBT5551LT1G TRANSISTOR, NPN, SOT-23


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-1459109
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     MMBT5551LT1G
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
smd-transistor npn
Produktpalette: MMBTxxxx
  • MSL: -
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Wandlerpolarität: NPN
  • Übergangsfrequenz: -
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160 V
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SOT-23
  • Dauer-Kollektorstrom: 600 mA
  • DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80 hFE
  • Verlustleistung: 225 mW
  • Qualifikation: AEC-Q101
  • SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, (BJT), Bipolare, Dioden, Einzelne, Gleichrichter, Schichttransistoren, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, MMBT5551LT1G, 1459109, 145-9109
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