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Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 1.5 A, 2.1 W, TO-92


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-1859374
Hersteller:
     WEEN SEMICONDUCTOR
Herst.-Nr.:
     PHD13003C
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
(BJT)
Bipolare
Dioden
Einzelne
Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Wandlerpolarität: NPN
  • Übergangsfrequenz: -
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400 V
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-92
  • Dauer-Kollektorstrom: 1.5 A
  • DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 17 hFE
  • Verlustleistung: 2.1 W
  • Qualifikation: -
  • SVHC: Lead (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Keine Angaben
  • Die Konditionen im Überblick1
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