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| Artikel-Nr.: 1331-2251974 Herst.-Nr.: FQT7N10LTF EAN/GTIN: k.A. |
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| Bauform - Transistor: SOT-223 Drain-Source-Spannung Vds: 100 VVerlustleistung: 2 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 VSVHC: Lead (14-Jun-2023) Rds(on)-Prüfspannung: 10 VDrain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275 ohmProduktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 4 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 1.7 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CRoHS konform: Keine Angaben |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-223, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FQT7N10LTF, 2251974, 225-1974 |
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