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IGBT-Modul, Zweifach, 310 A, 1.95 V, 1.25 kW, 150 °C, Module


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     1331-2377250
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FF200R17KE4HOSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon
Produktpalette: -
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7 kV
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: Module
  • Dauer-Kollektorstrom: 310 A
  • IGBT-Anschluss: Einpressmontage
  • Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95 V
  • Verlustleistung: 1.25 kW
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
  • Transistormontage: Platte
  • IGBT-Konfiguration: Zweifach
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: igbt module, Dioden, Gleichrichter, IGBT-Module, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, FF200R17KE4HOSA1, 2377250, 237-7250
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