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ONSEMI FQB12P20TM MOSFET, P-KANAL, -200V, -11.5A, TO-263-3


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     1331-2575361
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FQB12P20TM
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 200 V
  • Verlustleistung: 120 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 V
  • SVHC: Lead (14-Jun-2023)
  • Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36 ohm
  • Produktpalette: FQB
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 11.5 A
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: mosfet 11a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FQB12P20TM, 2575361, 257-5361
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    BOYD
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