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DRAM, Mobile LPDDR4, 128 Gbit, 4G x 32 Bit, 2.133 GHz, FBGA


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Artikel-Nr.:
     1331-4050887
Hersteller:
     Micron
Herst.-Nr.:
     MT53E4G32D8GS-046 WT:C
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
DRAM
Halbleiter
ICs
Speicherbausteine
Versorgungsspannung, nom.: 1.1 V
  • DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
  • Produktpalette: -
  • Betriebstemperatur, max.: 85 °C
  • IC-Montage: Oberflächenmontage
  • Anzahl der Pins: -
  • Speicherkonfiguration: 4G x 32 Bit
  • Betriebstemperatur, min.: -25 °C
  • SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
  • Taktfrequenz, max.: 2.133 GHz
  • IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
  • Speicherdichte: 128 Gbit
  • RoHS konform: Ja
    • Die Konditionen im Überblick1
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