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VISHAY SI2318DS-T1-GE3 N CHANNEL MOSFET, Transistor Polarity:N


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt-kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331N-1867178
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI2318DS-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Verlustleistung Pd: 750 mW
  • Drain-Source-Spannung Vds: 40 V
  • Schwellenspannung Vgs: 3 V
  • Dauer-Drainstrom Id: 3 A
  • MSL: MSL 1 - Unlimited
  • Bauform - Transistor: SOT-23
  • Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 V
  • Produktpalette: -
  • Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036 ohm
  • Transistormontage: Surface Mount
  • SVHC: To Be Advised
  • Wandlerpolarität: N Channel
  • Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
  • RoHS konform: Keine Angaben
  • Hinweis: Detailbild zum Produkt kann vom Original abweichen.

    Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, Dioden, Einfache, Gleichrichter, MOSFET-Transistoren, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI2318DS-T1-GE3, 1867178, 186-7178
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