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| Artikel-Nr.: 1331N-2370875 Herst.-Nr.: FDB3632. EAN/GTIN: k.A. |
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| Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V Dauer-Drainstrom Id: 80 AProduktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 175 °CSVHC: Lead Transistormontage: Surface Mount Qualifikation: - Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3 Pin(s)MSL: MSL 1 - Unlimited Drain-Source-Spannung Vds: 100 VRds(on)-Prüfspannung: 10 VDrain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009 ohmKanaltyp: N Channel Verlustleistung: 310 WRoHS konform: Keine AngabenHinweis: Detailbild zum Produkt kann vom Original abweichen. |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, on semiconductor mosfet, smd transistor, mosfet 80a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FDB3632., 2370875, 237-0875 |
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