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VISHAY SI7121ADN-T1-GE3. MOSFET, P CHANNEL, -30V, -18A, POWERPAK1


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331N-2401530
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI7121ADN-T1-GE3.
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
IGBT
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Dauer-Drainstrom Id: 18 A
  • Qualifikation: -
  • Drain-Source-Spannung Vds: 30 V
  • Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 V
  • SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
  • MSL: MSL 1 - Unlimited
  • Verlustleistung: 27.8 W
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125 ohm
  • Kanaltyp: P Channel
  • Transistormontage: Surface Mount
  • Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Produktpalette: -
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • RoHS konform: Ja
  • Hinweis: Detailbild zum Produkt kann vom Original abweichen.

    Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, igbt, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI7121ADN-T1-GE3., 2401530, 240-1530
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