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| Artikel-Nr.: 1331N-4900017 Herst.-Nr.: FDD6612A.. EAN/GTIN: k.A. |
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| Transistormontage: Surface Mount Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 VBetriebstemperatur, max.: 175 °CQualifikation: - Dauer-Drainstrom Id: 30 ABauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Kanaltyp: N Channel Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033 ohmVerlustleistung: 36 WDrain-Source-Spannung Vds: 30 VSVHC: Lead Produktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s)MSL: MSL 1 - Unlimited Rds(on)-Prüfspannung: 10 VRoHS konform: Keine AngabenHinweis: Detailbild zum Produkt kann vom Original abweichen. |
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| Weitere Suchbegriffe: on semiconductor mosfet, mosfet, mosfet 30a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FDD6612A.., 4900017, 490-0017 |
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