Infineon Technologies SPW20N60S5 MOSFET 1 N-Kanal 208 W TO-247

Infineon Technologies SPW20N60S5 MOSFET 1 N-Kanal 208 W TO-247

CoolMOS™

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 600 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 3000 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 20 A · Leistung (max) P(TOT): 208 W · Montageart: Durchführungsloch · Q(G): 103 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 190 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 13 A · Serie (Halbleiter): CoolMOS™ · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 600 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 1 mA · U(GS)(th) max.: 5.5 V