Vishay IRFD110PBF MOSFET 1 N-Kanal 1.3 W DIP-4

Vishay IRFD110PBF MOSFET 1 N-Kanal 1.3 W DIP-4

MOSFET (HEXFET)

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 180 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): DIP-4 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): VIS · I(d): 1 A · Leistung (max) P(TOT): 1.3 W · Montageart: Durchführungsloch · Q(G): 8.3 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 540 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 600 mA · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 100 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 4 V