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| Artikel-Nr.:
4503-64S2116 Herst.-Nr.:
CY7C1041G30-10ZSXIT EAN/GTIN:
4099891712105 |
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| 4-Mbit statisches RAM, CY7C1041G30-10ZSXIT, Cypress CY7C1041G30-10ZSXIT ist ein hochleistungsfähiger CMOS schneller statischer RAM Baustein mit eingebettetem ECC. Dieses Gerät bietet eine Single-Chip-Aktivierungsoption und mehrere Pin-Konfigurationen. Er enthält auch einen ERR-Pin, der ein Fehlererkennungs- und Korrekturereignis während eines Lesezyklus signalisiert. Features * Hohe Geschwindigkeit * Eingebettete ECC für Einzelbit-Fehlerkorrektur * Niedrige aktive und Standby-Ströme * TTL-kompatible Ein- und Ausgänge * Fehleranzeige (ERR)-Pin zur Anzeige der 1-Bit-Fehlererkennung und -korrektur Weitere Informationen: | | Gehäuse: | TSOP II-44 | max. Temperatur: | 85 °C | min. Temperatur: | -40 °C | Montage: | SMD | Spannung: | 2,2-3,6 V | Speichergröße: | 256 kbit | Technologie: | SRAM | Zugriffszeit: | 10 ns | Gewicht: | 0.001 kg | SVHC frei: | Ja | RoHS konform: | Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: 256kbit sram, Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente, IC, Integrierte Schaltung, Speicherbaustein |
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