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| Artikel-Nr.: 4503-64S2118 Herst.-Nr.: CY62157EV30LL-45ZSXI EAN/GTIN: 4099891712129 |
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| 8-Mbit statisches RAM, CY62157EV30LL-45ZSXI, Cypress CY62157EV30LL-45ZSXI ist ein hochleistungsfähiges statisches CMOS-RAM, das als 512K Worte mit 16 Bits organisiert ist. Dieser Baustein zeichnet sich durch ein fortschrittliches Schaltungsdesign aus, das einen extrem niedrigen aktiven Strom liefert. Dies ist ideal für eine längere Batterielebensdauer in tragbaren Anwendungen wie z.B. Mobiltelefonen. Der Baustein verfügt außerdem über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch erheblich reduziert, wenn die Adressen nicht umgeschaltet werden. Features * Hohe Geschwindigkeit: 45 ns * Extrem niedrige Standby-Leistung * Extrem niedrige Wirkleistung * Automatische Abschaltung bei Abwahl * Komplementäre Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung * Einfache Speichererweiterung mit CE1, CE2 und OE-Funktionen Weitere Informationen: | | Gehäuse: | TSOP II-44 | max. Temperatur: | 85 °C | min. Temperatur: | -40 °C | Montage: | SMD | Spannung: | 2,2-3,6 V | Speichergröße: | 512 kbit | Technologie: | SRAM | Zugriffszeit: | 45 ns | SVHC frei: | Ja | RoHS konform: | Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente, IC, Integrierte Schaltung, Speicherbaustein |
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