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IR-Diode 215mW 430 to 1100 nm ± 65° BPW 34 S


Menge:  Packungen  
Produktinformationen
IR-Diode 215mW 430 to 1100 nm ± 65° BPW 34 S
IR-Diode 215mW 430 to 1100 nm ± 65° BPW 34 S
Artikel-Nr.:
     4503-65S2064
Hersteller:
     Osram
Herst.-Nr.:
     BPW34S-Z
EAN/GTIN:
     4099879017468
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
IR Emitter
IR-Led
Infrarot-Diode
Foto-diode
Fotodioden Typ BPW. Technische Merkmale (Typ, Sperrspannung, Halbwinkel, spektraler Bereich der Foto-Empfindlichkeit, Gehäuse): BPW34S, 60 V, ±65°, 430 bis 1100 nm, SMT, Infineon
Weitere Informationen:
Abstrahlwinkel:
65 °
Durchlassstrom:
100 mA
max. Temperatur:
100 °C
min. Temperatur:
-40 °C
Montage:
SMD
Verlustleistung W (DC):
150 mW
Wellenlänge:
950 nm
Ursprungsland:
CN
Gewicht:
0.00057 kg
SVHC frei:
Ja
RoHS konform:
Ja
Weitere Suchbegriffe: Fotodiode, Photo-Diode, Photodiode, osram fotodiode, ir emitter, Automation, Fühler, Sensor, Lichtsensor, Messtechnik, Measurement Technology, Optoelektronischer Baustein, Optoelektronik
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.