Bezeichnung=IGBT-Modul, Typ=SKM150GB12T4G, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-40 °C, Emitter-Leckstrom=2 mA, Energieverteilung während Abschaltdauer=14.1 mJ, Energieverteilung während Herstellungsdauer=18.7 mJ, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=1.2 kV, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=2.1 V, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=223 A, Leistungsverteilung (PV)=-999, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=-999, Bauform=Modul, Kanaltyp=NPN, Konfiguration=Halbbrücke, Montageart=Verschraubung Weitere Informationen:  | | Ursprungsland: | SK | Höhe: | 35 mm | Tiefe: | 205 mm | Bruttogewicht: | 362 g | Breite: | 155 mm | MERCATEO_WA_NR: | 8541290000 |
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