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| Artikel-Nr.:
822EL-1219858 Herst.-Nr.:
NE5517DR2G EAN/GTIN:
5059042213102 |
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| Verstärker-Typ = Transkonduktanz
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = SOIC
Stromversorgungs-Typ = Dual, Single
Anzahl der Kanäle pro Chip = 2
Pinanzahl = 16
Versorgungsspannung einzeln typ. = 30 V
Verstärkungsbandbreitenprodukt typ. = 2MHz
Versorgungsspannung bipolar typ. = ±15V
Flankensteilheit typ. = 50V/µs
Betriebstemperatur min. = 0 °C
Rail to Rail = Nein
Höhe = 1.5mm
NE5517, Zweifach-Transkonduktanzverstärker, ON Semiconductor. Puffer mit konstanter Impedanz Ausgezeichnete Übereinstimmung zwischen Verstärkern Linearisierung von Dioden Rauschabstand mit hoher Ausgangsleistung Weitere Informationen: | | Verstärker-Typ: | Transkonduktanz | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | SOIC | Stromversorgungs-Typ: | Dual, Single | Anzahl der Kanäle pro Chip: | 2 | Pinanzahl: | 16 | Versorgungsspannung einzeln typ.: | 30 V | Verstärkungsbandbreitenprodukt typ.: | 2MHz | Versorgungsspannung bipolar typ.: | ±15V | Flankensteilheit typ.: | 50V/µs | Betriebstemperatur min.: | 0 °C | Rail to Rail: | Nein | Höhe: | 1.5mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Operationsverstärker, comparator, 1219858, Halbleiter, Verstärker und Komparatoren, onsemi, NE5517DR2G, Semiconductors, Amplifiers & Comparators, Op Amps |
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