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| Artikel-Nr.:
822EL-1242988 Herst.-Nr.:
FM25V10-G EAN/GTIN:
5059040035706 |
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| Speicher Größe = 1MBit
Organisation = 128K x 8 bit
Interface-Typ = SPI
Datenbus-Breite = 8bit
Zugriffszeit max. = 18ns
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = SOIC
Pinanzahl = 8
Abmessungen = 4.97 x 3.98 x 1.47mm
Länge = 4.97mm
Arbeitsspannnung max. = 3,6 V
Höhe = 1.47mm
Betriebstemperatur max. = +85 °C
Anzahl der Wörter = 128K
F-RAM, Cypress Semiconductor. Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert. Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher Hohe Schreibgeschwindigkeit Lange Lebensdauer Geringer Stromverbrauch Weitere Informationen: | | Speicher Größe: | 1MBit | Organisation: | 128K x 8 bit | Interface-Typ: | SPI | Datenbus-Breite: | 8bit | Zugriffszeit max.: | 18ns | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | SOIC | Pinanzahl: | 8 | Abmessungen: | 4.97 x 3.98 x 1.47mm | Länge: | 4.97mm | Arbeitsspannnung max.: | 3,6 V | Höhe: | 1.47mm | Betriebstemperatur max.: | +85 °C | Anzahl der Wörter: | 128K |
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| Weitere Suchbegriffe: 1242988, Halbleiter, Speicherbausteine, Infineon, FM25V10G, Semiconductors, Memory Chips, FRAM Memory |
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