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| Artikel-Nr.: 822EL-1254205 Herst.-Nr.: FM18W08-SG EAN/GTIN: 5059040034327 |
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| Speicher Größe = 256kbit Organisation = 32K x 8 bit Interface-Typ = Parallel Datenbus-Breite = 8bit Zugriffszeit max. = 70ns Montage-Typ = SMD Gehäusegröße = SOIC Pinanzahl = 28 Abmessungen = 18.11 x 7.62 x 2.37mm Länge = 18.11mm Arbeitsspannnung max. = 5,5 V Höhe = 2.37mm Betriebstemperatur max. = +85 °C Anzahl der Bits pro Wort = 8bit
F-RAM, Cypress Semiconductor. Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert. Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher Hohe Schreibgeschwindigkeit Lange Lebensdauer Geringer Stromverbrauch Weitere Informationen: | | Speicher Größe: | 256kbit | Organisation: | 32K x 8 bit | Interface-Typ: | Parallel | Datenbus-Breite: | 8bit | Zugriffszeit max.: | 70ns | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | SOIC | Pinanzahl: | 28 | Abmessungen: | 18.11 x 7.62 x 2.37mm | Länge: | 18.11mm | Arbeitsspannnung max.: | 5,5 V | Höhe: | 2.37mm | Betriebstemperatur max.: | +85 °C | Anzahl der Bits pro Wort: | 8bit |
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| Weitere Suchbegriffe: 1254205, Halbleiter, Speicherbausteine, Infineon, FM18W08SG, Semiconductors, Memory Chips, FRAM Memory |
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