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| Artikel-Nr.:
822EL-1254211 Herst.-Nr.:
FM24CL16B-DG EAN/GTIN:
5059040039193 |
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| Speicher Größe = 16kbit
Organisation = 2K x 8 Bit
Interface-Typ = Seriell (2-Draht, I2C)
Datenbus-Breite = 8bit
Zugriffszeit max. = 3000ns
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = DFN
Pinanzahl = 8
Abmessungen = 4 x 4.5 x 0.7mm
Länge = 4.5mm
Arbeitsspannnung max. = 3,65 V
Höhe = 0.7mm
Betriebstemperatur max. = +85 °C
Arbeitsspannnung min. = 2,7 V
F-RAM, Cypress Semiconductor. Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert. Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher Hohe Schreibgeschwindigkeit Lange Lebensdauer Geringer Stromverbrauch Weitere Informationen: | | Speicher Größe: | 16kbit | Organisation: | 2K x 8 Bit | Interface-Typ: | Seriell (2-Draht, I2C) | Datenbus-Breite: | 8bit | Zugriffszeit max.: | 3000ns | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | DFN | Pinanzahl: | 8 | Abmessungen: | 4 x 4.5 x 0.7mm | Länge: | 4.5mm | Arbeitsspannnung max.: | 3,65 V | Höhe: | 0.7mm | Betriebstemperatur max.: | +85 °C | Arbeitsspannnung min.: | 2,7 V |
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| Weitere Suchbegriffe: 1254211, Halbleiter, Speicherbausteine, Infineon, FM24CL16BDG, Semiconductors, Memory Chips, FRAM Memory |
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