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| Artikel-Nr.:
822EL-1254229 Herst.-Nr.:
FM28V020-SG EAN/GTIN:
5059040033993 |
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| Speicher Größe = 256kbit
Organisation = 32K x 8 bit
Interface-Typ = Parallel
Datenbus-Breite = 8bit
Zugriffszeit max. = 70ns
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = SOIC
Pinanzahl = 28
Abmessungen = 18.11 x 7.62 x 2.37mm
Länge = 18.11mm
Arbeitsspannnung max. = 3,6 V
Höhe = 2.37mm
Betriebstemperatur max. = +85 °C
Anzahl der Bits pro Wort = 8bit
F-RAM, Cypress Semiconductor. Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert. Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher Hohe Schreibgeschwindigkeit Lange Lebensdauer Geringer Stromverbrauch Weitere Informationen: | | Speicher Größe: | 256kbit | Organisation: | 32K x 8 bit | Interface-Typ: | Parallel | Datenbus-Breite: | 8bit | Zugriffszeit max.: | 70ns | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | SOIC | Pinanzahl: | 28 | Abmessungen: | 18.11 x 7.62 x 2.37mm | Länge: | 18.11mm | Arbeitsspannnung max.: | 3,6 V | Höhe: | 2.37mm | Betriebstemperatur max.: | +85 °C | Anzahl der Bits pro Wort: | 8bit |
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| Weitere Suchbegriffe: 1254229, Halbleiter, Speicherbausteine, Infineon, FM28V020SG, Semiconductors, Memory Chips, FRAM Memory |
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