|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-1339915 Herst.-Nr.:
IDH10G120C5XKSA1 EAN/GTIN:
5059043597119 |
| |
|
| | |
| Montage-Typ = THT
Gehäusegröße = TO-220
Dauer-Durchlassstrom max. = 31.9A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 1200V
Diodenkonfiguration = Einfach
Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode
Diode Typ = SiC-Schottky
Pinanzahl = 2 + Tab
Maximaler Spannungsabfall = 2.6V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodentechnologie = SiC-Schottky
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch = 99A
thinQ! Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC), Infineon. Die thinQ!™-Generation 5 von Infineon bietet eine neuartige Dünnwafer-Technologie für SiC-Schottky-Barrierendioden mit verbesserten thermischen Eigenschaften. Die SiC-Schottky-Dioden bieten vorteilhafte Funktionen für Hochspannungshalbleiter, etwa eine höhere Durchbruchfeldstärke sowie verbesserte thermische Leitfähigkeit mit höherer Effizienz. Diese neueste Generation eignet sich für den Einsatz in Telekommunikations-SMPS und High-End-Servern, USV-Systemen, Motorantrieben, Solarwechselrichtern sowie PC-Silverbox- und Beleuchtungsanwendungen. Verminderte elektromagnetische Störungen Weitere Informationen: | | Montage-Typ: | THT | Gehäusegröße: | TO-220 | Dauer-Durchlassstrom max.: | 31.9A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 1200V | Diodenkonfiguration: | Einfach | Gleichrichter-Typ: | Schottky-Diode | Diode Typ: | SiC-Schottky | Pinanzahl: | 2 + Tab | Maximaler Spannungsabfall: | 2.6V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Diodentechnologie: | SiC-Schottky | Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: | 99A |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: diode to-220, 1339915, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, Infineon, IDH10G120C5XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
| | |
| |