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| Artikel-Nr.: 822EL-1461433 Herst.-Nr.: ESH2B-E3/5BT EAN/GTIN: 5059040665804 |
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| Diodenkonfiguration = Einfach Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Gehäusegröße = DO-214AA (SMB) Diodentechnologie = Siliziumverbindung Maximaler Spannungsabfall = 930mV Betriebstemperatur min. = –55 °C Betriebstemperatur max. = +175 °C Länge = 4.57mm Breite = 3.94mm Höhe = 2.24mm Abmessungen = 4.57 x 3.94 x 2.24mm
Gleichrichter Ultraschnell 2 A bis 5 A, Vishay Semiconductor. Funktionen Glaspassivierte Chip-Verbindung, ultraschnelle Umkehr-Wiederherstellungszeit, Niedriger Spannungsabfall in Durchlassrichtung, Geringe Schaltverluste, hoher Wirkungsgrad, Hohe Durchlassspannungsfestigkeit, Lötdip: Max. 275 °C. 10 s, gemäß JESD 22-B106, Typische Anwendungen: Für den Einsatz in Hochfrequenzgleichrichtung und Freilaufanwendungen in Schaltmoduswandlern und Wechselrichtern für Verbraucher, Computer und Telekommunikation. Mechanische Daten Gehäuse : Die Vergussmasse DO-201AD erfüllt die Entflammbarkeitsklasse UL 94 V-0 Basis P/N-E3 - RoHS-konform, kommerzielle Ausführung Anschlussklemmen : Matt verzinnte Kabel, lötbar gemäß J-STD-002 und JESD 22-B102 E3 Suffix erfüllt JESD 201 Whisker-Test Klasse 1A. Polarität : Farbband kennzeichnet Kathodenende Weitere Informationen: | | Diodenkonfiguration: | Einfach | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Gehäusegröße: | DO-214AA (SMB) | Diodentechnologie: | Siliziumverbindung | Maximaler Spannungsabfall: | 930mV | Betriebstemperatur min.: | –55 °C | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Länge: | 4.57mm | Breite: | 3.94mm | Höhe: | 2.24mm | Abmessungen: | 4.57 x 3.94 x 2.24mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1461433, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schaltdioden, Vishay, ESH2BE35BT, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Switching Diodes |
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