Vishay AEC-Q101 Fotodiode IR 820nm Si, SMD QFN-Gehäuse 4-Pin

Erkennbare Spektren = IR
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 820nm
Gehäusetyp = QFN
Montage Typ = SMD
Anzahl der Pins = 4
Diodenmaterial = Si
Wellenlänge min. = 350nm
Fallzeit typ. = 30ns
Länge = 5mm
Breite = 4mm
Höhe über Panel = 0.9mm
Durchschlagspannung = 20V

VEMD5060X01 ist eine sehr schnelle und hochempfindliche PIN-Fotodiode mit einer hochlinearen Fotoreaktion. Es handelt sich um ein flaches SMD-Bauelement einschließlich Chip mit einem empfindlichen Bereich von 7,5 mm2, das sichtbare und in der Nähe befindliche IR-Strahlung erkennt.Gehäusetyp: OberflächenmontageGehäuseform: nach obenAbmessungen (L x B x H in mm): 5 x 4 x 0,9Strahlungsempfindlicher Bereich (in mm2): 7,5AEC-Q101-qualifiziertHohe FotoempfindlichkeitHohe StrahlungsempfindlichkeitAusgezeichnete Ira-LinearitätGeeignet für sichtbare und in Nähe befindliche IR-StrahlungSchnelle AnsprechzeitenHalbwertswinkel: ϕ = ± 65°Lagerhaltbarkeit: 72 h, MSL 4, gemäß J-STD-020ANWENDUNGEN:Hochgeschwindigkeits-FotodetektorKleinsignalerkennungNäherungssensoren